Co je prsa?

Rozprašování je metoda pro ukládání velmi tenkých vrstev materiálu na povrch bombardováním zdrojového materiálu v uzavřené komoře elektrony nebo jinými energetickými částicemi k vysunutí atomů zdroje jako formy aerosolu, která se poté usadí na všech površích vkomora.Tento proces může ukládat extrémně jemné vrstvy filmů až do atomové stupnice, ale také má tendenci být pomalý a nejlépe se používá pro malé povrchové plochy.Aplikace zahrnují povlak biologických vzorků pro zobrazování ve skenovacích elektronových mikroskopech (SEM), depozice tenkých filmů v polovodičovém průmyslu a ukládání povlaků pro miniaturizovanou elektroniku.Nanotechnologický průmysl v oblasti medicíny, informatiky a vědy o materiálech se často spoléhá na rozprašování depozice pro navrhování nových kompozitů a zařízení na nanometru nebo na jednu miliardu metru, měřítko., včetně toku plynu, reaktivního a magnetronového rozprašování.Iontově paprsek a iontovou asistovanou rozprašování se také široce používají kvůli rozmanitosti chemikálií, které mohou existovat v iontovém stavu.Rozprašování magnetronu je dále rozděleno do přímého proudu (DC), střídavého proudu (AC) a aplikací rádiové frekvence (RF).cíl.Komora je poté naplněna inertním plynem, jako je argon.Protože zdrojový materiál je elektricky nabitý proudem AC nebo DC, vypuštěné elektrony jsou zachyceny v magnetickém poli a nakonec interagují s argonovým plynem v komoře, aby se vytvořily energetické ionty složené z argonu i zdrojového materiálu.Tyto ionty pak uniknou magnetickému poli a ovlivňují cílový materiál a pomalu ukládají jemnou vrstvu zdrojového materiálu na jeho povrch.RF rozprašování se v tomto případě používá k uložení několika odrůd oxidových filmů na izolační cíle změnou elektrického zkreslení mezi cílem a zdrojem rychlým rychlostí.

Ion Beam rozprašování bez zdroje, který potřebuje magnetické pole.Ionty, které jsou vypuštěny ze zdrojového materiálu, interagují s elektrony ze sekundárního zdroje, takže bombardovaly cíl neutrálními atomy.Díky tomu je iontový rozprašovací systém schopný povlakovat jak vodivé, tak izolační cílový materiál a části, jako jsou hlavy tenkých filmů pro pevné disky počítače.vakuum.Přímá kontrola depozičních vrstev se provádí změnou tlaku a množství plynů v komoře.Filmy používané v optických složkách a solárních článcích se často provádějí v reaktivním rozprašování, protože stechiometrie nebo rychlost chemické reakce lze přesně řídit.