Jaké je spojení mezi Eeprom a Flash?

Elektronicky vymazatelná programovatelná paměť pouze pro čtení (EEPROM) a paměť Flash mají mnoho společného.Paměť EEPROM i Flash jsou postavena na formátu čipu, mohou ukládat data, která mohou být vymazána a přepsána, a používat stejnou technologii tranzistoru s plovoucí bránou.I když je správné uvádět, že Flash Memory je typ EEPROM, pojmy EEPROM a Flash paměť obvykle popisují různá zařízení.

EEPROM se obecně týká jakéhokoli typu zařízení pro datovou paměť, které mohou mít digitální data napsána a vymazána pomocí elektronického zařízení nějakého typu.To je na rozdíl od vymazatelné programovatelné paměti pouze pro čtení (EPROM), která musí být fyzicky odstraněna a vymazána neelektronickou metodou, například u ultrafialového světla.Vzhledem k tomu, že provádění zápisu a vymazání paměti flash je prováděno pomocí počítače, je Flash Memory podle definice EEPROM.

I když Flash Memory je typ EEPROM, dva termíny obvykle popisují velmi odlišné typy zařízení.Například EEPROM je obvykle začleněn do většího integrovaného obvodu (IC).Slouží funkci ukládání různých kusů dat, které zbytek IC potřebuje, aby dosáhl svého účelu.Eeprom to dělá ukládáním dat do malých bloků, obvykle pouze jeden bajt na délku.

Flash Memory, na druhé straně, obvykle vidí použití v samostatných paměťových zařízeních, jako jsou disky USB nebo paměťové karty kamery, a ukládá uživatelské soubory počítače.Za tímto účelem jsou data uspořádána do velkých bloků, z nichž každá obsahuje mnoho bajtů dat.K těmto velkým blokům lze přistupovat a vymazat mnohem rychleji než jednobajtové bloky dat.Tato mnohem větší rychlost při manipulaci s daty je místo, kde Flash Memory odvozuje jeho název.Výsledkem je, že obě formy paměti jsou nezákonné.Nebezpečová odkazuje na paměť, která může i nadále ukládat data, i když není k dispozici žádná energie.To je v kontrastu s jinými typy paměti, jako je například počítačový náhodný přístup k paměti, že vykládají všechna uložená data, jakmile je odstraněn napájení.k fenoménu zvanému paměťové opotřebení.Pokaždé, když jsou data psána nebo vymazána z těchto zařízení, dochází k trochu více opotřebení.Nakonec, po 10 000 až 100 000 cyklech, tranzistory začnou selhat.Zatímco EEPROM obsahuje operační data, která se zřídka mění, data uložená na paměti Flash se často mění.Proto, i když jak Eeprom, tak Flash paměť zažívají opotřebení paměti, má obvykle mnohem větší účinek na flash paměť.