Hvad er ekstrinsiske halvledere?

Ekstrinsiske halvledere er delvist ledende og delvist isolerende materialer, der er blevet kemisk ændret for at bære en ikke-neutral elektrisk ladning.De er byggestenene til halvlederenheder.Produktionen af ekstrinsiske halvledere følger en vellykket produktion af iboende halvledere og deres omdannelse til positive (P) -type eller negative (N) -type halvledere.

Når siliciumdioxid gennemgår fjernelse af iltatomer, ekstraktion af ren silicium mulig.Dette rene silicium reagerer, mens den er i flydende form, let med ilt for at vende tilbage til en variation af almindeligt sand.Ved at bruge et specielt produktionsmiljø, såsom i et vakuum eller en ikke-reagerende gas, har siliciummaterialet en chance for at have høj renhed.Eventuelle uønskede spor af andre elementer og forbindelser er også adskilt for at opnå rent silicium.Silicium smelter ved ca. 2.577 deg; f (ca. 1.414 deg; c), der kræves specielt udstyr og teknologi til at producere ekstrinsiske halvledere.

der skal dopes således til at producere ekstrinsiske halvledere.Doping involverer indførelse af yderligere kontrollerede urenheder i den iboende halvleder, mens den er i flydende form.I elektronikindustrien skal ren silicium, der fungerer som en iboende halvleder, omdannes til en ekstrinsik halvleder for at blive brugt.Hvis det har størknet som iboende, skal den igen smeltes for at skabe en ekstrinsik halvleder.Når den iboende halvleder er i flydende form, er det at skabe en P-type eller N-type halvleder det næste valg, og med de rigtige dopingmiddel eller korrekt valg af kontrollerede urenheder bliver den iboende halvleder en ekstrinsisk halvleder eller en dopet halvleder. Ekstrinsiske halvledere er enten N-type eller P-type, afhængigt af det anvendte dopingmiddel.Et dopingmiddel, såsom bor, kan have tre elektroner på det ydre atomskal eller valens til at producere en P-type halvleder.Dem med fem valenselektroner, såsom fosfor, bruges som dopingmidler til at producere en N-type halvleder.Tilføjelse af bor til smeltet rent silicium i et ikke-reagerende miljø gør det til en P-type halvleder eller en elektronacceptor, mens doping iboende silicium med fosfor skaber en N-type halvleder eller en elektrondonor.Et boratom til så mange som 10 millioner siliciumatomer er det typiske forhold mellem urenhedsmængden i en iboende halvleder. En halvlederplante leverer komponenter med forskellige kombinationer af ekstrinsiske halvleder.Den to-terminale diode har et enkelt P-N-kryds eller en sammenføjet P-type og N-type halvleder.Meget storskala integrationschips har tusinder af kryds af P-type og N-type halvledere.