Hvad er ferroelektrisk hukommelse?

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) gemmer computerdata ved hjælp af en speciel ferroelektrisk film, der hurtigt har evnen til at ændre polaritet.Det er i stand til at bevare data, selv når strømmen ikke er tændt, så den er klassificeret som ikke-flygtig hukommelse.Ferroelektrisk hukommelse fungerer uden batterier og forbruger lidt strøm, når der skrives information eller omskrevet til chippen.Udførelsen af tilfældig adgangshukommelse kombineres med evner til skrivebeskyttet hukommelse i ferroelektrisk hukommelse.Det bruges til smartkort og mobile enheder, såsom mobiltelefoner, fordi der bruges lidt strøm, og hukommelseschipsene er svære at få adgang til en person, der manipulerer med dem.

En ferroelektrisk hukommelseschip fungerer ved hjælp af en blyzirconat -titranatfilm for at ændre en elektriskfelt omkring det.Atomerne i filmen ændrer den elektriske polaritet til positiv eller negativ eller omvendt.Dette får filmen til at opføre sig som en switch, der er kompatibel med binær kode og kan tillade, at data gemmes effektivt.Polariteten i filmen forbliver den samme, når strømmen er slukket, og holder informationen intakt og lader chippen arbejde uden meget energi.Ferroelektriske hukommelseschips vil endda holde data, hvis strømmen pludselig slukkes, f.eks.Det anslås også at vare 10.000 gange længere, da oplysninger kan skrives, slettes og omskrev mange gange.Et dielektrisk lag bruges i DRAM, men et ferroelektrisk lag bruges i stedet for det til FRAM.Strukturen af de forskellige hukommelseschips er ellers meget ens.

Også kendt som Feram, ferroelektrisk hukommelse kan skrive meget hurtigere end andre minder.Skrivhastigheden er blevet estimeret til at være næsten 500 gange hurtigere end med en EEPROM -enhed.Forskere har brugt elektronmikroskoper til at lave billeder af de elektriske felter på hukommelseschippens overflade.Ved hjælp af denne teknik kan de måle materialer, der gør det muligt at kontrollere polarisering ved atomskalaer, for at skabe hukommelseschips, der fungerer endnu hurtigere.

Ferroelektrisk hukommelse er mere energieffektiv end andre typer computerhukommelse.Det er også mere sikkert at bruge og gemme data på, fordi vigtige oplysninger ikke går tabt så let.Det er velegnet til brug i mobiltelefoner og i radiofrekvensidentifikationssystemer (RFID).Hukommelseschipsene kan også omskrive data mange flere gange, så hukommelsen slides ikke og skal udskiftes på kort tid.