Qu'est-ce que la mémoire ferroélectrique?

La mémoire aléatoire ferroélectrique (FRAM) stocke les données informatiques à l'aide d'un film ferroélectrique spécial qui a la capacité de changer de polarité rapidement.Il est capable de conserver les données même lorsque la puissance n'est pas allumée, il est donc classé comme mémoire non volatile.La mémoire ferroélectrique fonctionne sans batteries et consomme peu de puissance lorsque des informations sont écrites ou réécrites sur la puce.Les performances de la mémoire d'accès aléatoire sont combinées avec les capacités de la mémoire en lecture seule dans la mémoire ferroélectrique.Il est utilisé pour les cartes à puce et les appareils mobiles tels que les téléphones portables car peu d'alimentation est utilisée et que les puces de mémoire sont difficiles à accéder à quelqu'un qui les altére.champ autour de lui.Les atomes du film transforment la polarité électrique en positif ou négatif, ou vice versa.Cela fait que le film se comporte comme un commutateur compatible avec le code binaire et peut permettre de stocker efficacement les données.La polarité du film reste la même lorsque l'alimentation est désactivée, en gardant les informations intactes et en permettant à la puce de fonctionner sans trop d'énergie.Les puces de mémoire ferroélectrique conserveront même des données si l'alimentation est soudainement éteinte, comme dans une panne d'électricité.

par rapport à la mémoire dynamique d'accès aléatoire (DRAM) et à la mémoire en lecture programmable effaçable électriquement (EEPROM), la mémoire ferroélectrique consomme 3000 fois moins de puissance en moins.Il est également estimé à 10 000 fois plus longtemps, car les informations peuvent être rédigées, effacées et réécrites à plusieurs reprises.Une couche diélectrique est utilisée dans DRAM, mais une couche ferroélectrique est utilisée à la place de celui-ci pour le FRAM.La structure des différentes puces de mémoire est par ailleurs très similaire.

également connue sous le nom de feram, la mémoire ferroélectrique peut écrire beaucoup plus rapidement que les autres souvenirs.La vitesse d'écriture a été estimée à près de 500 fois plus rapide qu'avec un dispositif EEPROM.Les scientifiques ont utilisé des microscopes électroniques pour fabriquer des images des champs électriques à la surface de la puce de mémoire.En utilisant cette technique, ils peuvent mesurer les matériaux qui permettent à la polarisation d'être contrôlé à des échelles atomiques, afin de créer des puces de mémoire qui fonctionnent encore plus rapidement.

La mémoire ferroélectrique est plus économe en énergie que les autres types de mémoire informatique.Il est également plus sûr d'utiliser et de stocker des données, car des informations importantes ne seront pas perdues aussi facilement.Il est adapté à une utilisation dans les téléphones cellulaires et dans les systèmes d'identification par radiofréquence (RFID).Les puces de mémoire peuvent également réécrire des données plusieurs fois, de sorte que la mémoire ne s'use pas et doit être remplacée en peu de temps.