Cos'è l'attacco secco?

L'incisione a secco è uno dei due principali processi di attacco utilizzati in microelettronica e alcuni elaborazioni a semiconduttore.A differenza dell'attacco a umido, l'attacco a secco non immerge il materiale per essere inciso in sostanze chimiche liquide.Invece, utilizza i processi di gas o fisici per incidere o creare piccoli canali di taglio, nel materiale.L'incisione a secco è più costosa dell'incisione a umido, ma consente una maggiore precisione nel tipo di canali creati.

I produttori spesso decidono tra l'uso di tecniche di attacco a secco o umido basate prima sulla precisione richiesta nei canali incisi.Se i canali devono essere particolarmente profondi o di una forma specifica mdash;come avere lati verticali mdash;Si desidera incisione secca.Il costo, tuttavia, è anche una considerazione, poiché i costi di attacco a secco considerevolmente più che incisione bagnata.

In incisione bagnata e secca, l'area sul materiale che il produttore non vuole inciso mdash;di solito chiamato wafer in microelettronica e Mdash;è coperto da una sostanza non reattiva o mascherata.Una volta mascherato, il materiale è o è soggetto a un tipo di attacco al plasma, che lo espone a una sostanza chimica gassosa come il fluoruro di idrogeno o soggetto a processi fisici, come la fresatura a trave ioniche, che crea l'incisione senza l'uso del gas.

Esistono tre tipi di attacco al plasma.Il primo, l'attacco a ioni di reazione (RIE), crea canali attraverso una reazione chimica che si verifica tra gli ioni nel plasma e la superficie dei wafer, che rimuove piccole quantità del wafer.RIE consente una variazione nella struttura del canale, da quasi dritto a completamente arrotondato.Il secondo processo di incisione al plasma, fase di vapore, differisce da Rie solo nella sua semplice configurazione.La fase vapore consente tuttavia una minore variazione nel tipo di canali prodotti.

La terza tecnica, lo sputtering, usa anche ioni per incidere i wafer.Gli ioni nella fase RI e vapore si trovano sulla superficie del wafer e reagiscono con il materiale.L'incisione di sputter, al contrario, bombarda il materiale con ioni per ritagliarsi i canali specificati. I produttori devono sempre rimuovere rapidamente i sottoprodotti prodotti durante il processo di incisione.Questi sottoprodotti possono impedire l'intera incisione se si condensano sulla superficie dei wafer.Spesso vengono rimossi restituendoli in uno stato gassoso prima che il processo di attacco sia completo.

Un attributo di incisione a secco è la capacità che la reazione chimica si verifichi in una sola direzione.Chiamato anisotropia, questo fenomeno consente di incidere i canali senza la reazione che tocca le aree mascherate del wafer.Di solito questo significa che la reazione avviene in una direzione verticale.