Cos'è Spintronics?

Spintronics è una forma nascente di elettronica che utilizza lo stato magnetico ( spin ) di elettroni per codificare e elaborare i dati, piuttosto che utilizzare la carica elettrica.Tecnicamente, lo spin è una proprietà quantistica, strettamente correlata ma non esattamente la stessa cosa del magnetismo.La spintronics è quindi a volte considerata come sfruttamento degli effetti quantistici.Un elettrone può possedere un su o giù

, a seconda del suo orientamento magnetico.Il magnetismo dei materiali ferroelettrici, i non conduttori che vengono polarizzati quando esposti a un campo elettrico, esiste perché molti degli elettroni in tali oggetti hanno tutti lo stesso rotazione.

noto anche come magnetoelettronica, Spintronics ha il potenziale per diventare il mezzo di memoria ideale percalcolo.È stato affermato che la memoria spintronica, o MRAM (memoria di accesso casuale magnetoresistico) ha il potenziale per ottenere la velocità di SRAM (RAM statica), la densità del DRAM (RAM dinamica) e la non volatilità della memoria flash. Non volatilità

Significa che i dati sono ancora codificati quando la potenza viene interrotta.Spintronics è stato anche chiamato un passo nella direzione dell'informatica quantistica.

A causa della sua non volatilità, un giorno MRAM o altre spintronics potrebbero essere utilizzate per creare

istante su computer

e memoria estremamente convenienti, dispositivi di archiviazione e batterie.La tecnologia potrebbe anche essere utilizzata per creare dispositivi elettronici più piccoli e più veloci e consumano meno energia.È previsto che i dispositivi MRAM saranno disponibili in commercio entro il 2010, con altri dispositivi Spintronics che seguono gli adolescenti primitivi. La prima svolta ampiamente riconosciuta in Spintronics è stata lo sfruttamento della gigantedella maggior parte dei dischi rigidi.GMR e altri spintronics possono essere utilizzati per rilevare campi magnetici estremamente piccoli utilizzando un materiale non magnetico inserito tra due piastre magnetiche.Questo materiale cambia rapidamente la sua resistività elettrica in base all'orientamento magnetico delle piastre.GMR può essere 100 volte più forte della normale magnetoresistenza.A volte i dispositivi GMR sono indicati come

Valvole di spin

.

I dispositivi basati su MRAM possono essere convenienti perché le tecniche di fabbricazione coinvolte hanno molto in comune con tecniche di fabbricazione di semiconduttori di silicio convenzionali.Le proposte per i dispositivi integrati elettronici/magnetici sono comuni.Nel 2002, IBM ha annunciato di aver raggiunto una capacità di archiviazione di un trilione di bit per pollice quadrato in un dispositivo di archiviazione prototipo.