反応性イオンエッチングとは何ですか？

反応性イオンエッチングは、マイクロファブリケーションで使用されるタイプの技術であり、ウェーハから物質を除去します。ウェーファーは、マイクロデバイスの作成に使用される小さな半導体ストリップであり、反応性イオンエッチングテクノロジーは、有効性に悪影響を与える可能性のある材料がないことを保証します。マイクロファブリケーション手順は、ウェーハの完全性を犠牲にすることなく除去する物質を特定する特別に設計されたデバイスで実行されます。チャンバーの下部。容器の上部には、ガスを入れる小さな穴があります。特定のウェーハの個々の要件に応じて、さまざまな種類のガスが使用されます。このデバイスを使用すると、プラズマは高度に特殊な磁場で作られています。この方法で高レベルの血漿濃度を達成することは珍しくありません。プラズマ内のイオンには、異常に大量のエネルギーがあります。これらのイオンは、ウェーハの破片に反応し、その表面の欠陥を除去するために働きます。まず、かなりの電磁界がウェーハチャンバーに送られます。その後、フィールドは振動し、容器内のガスの分子をイオン化し、電子を除去します。これにより、プラズマが作成されます。

反応性イオンエッチングは、ドライエッチングと呼ばれるマイクロファブリケーション除去のより広いカテゴリの1つのタイプです。さまざまな酸や化学物質を使用して同じ端を達成する湿潤エッチングとは異なり、除去プロセスで液体を使用しません。湿ったエッチングはウェーハに覆われ、かなりの量の毒性廃棄物を引き起こすため、乾燥エッチングはウェーハ化学除去のより一般的な方法になりつつあります。ウェットエッチング技術と比較して、必要な特殊な機器により、はるかに高価です。ただし、一般的にドライエッチングプロセスは、ウェーハのよりトリッキーな領域に到達するのにはるかに効果的です。ただし、一部のジョブはこの形式のエッチングによって提供される微細な詳細を必要としないことを覚えておくことが重要です。また、ウェットエッチング手順でも効果的にタスクを達成する可能性があります。