Jakie jest połączenie między EEPROM a Flashem?

Elektronicznie wymazalna programowalna pamięć tylko odczyt (EEPROM) i pamięć flash mają wiele wspólnego.Zarówno pamięć EEPROM, jak i pamięć flash są zbudowane na formacie układu, mogą przechowywać dane, które można usunąć i przepisać, oraz używać tej samej technologii tranzystorowej bramki o zmiennoprzecinkowej bramce.Chociaż słuszne jest stwierdzenie, że pamięć flash jest rodzajem EEPROM, terminy EEPROM i pamięć flash zwykle opisują różne urządzenia.EEPROM, ogólnie rzecz biorąc, odnosi się do każdego rodzaju urządzenia pamięci danych, które może mieć zapisanie danych cyfrowych i usunięte za pomocą urządzenia elektronicznego pewnego typu.Jest to sprzeczne z wymazującą programowalną pamięcią (EPROM), którą należy fizycznie usunąć i usunąć metodą nieelektroniczną, taką jak światło ultrafioletowe.Ponieważ wykonanie zapisu i usuwania pamięci flash są wykonywane z komputerem, pamięć flash jest z definicji EEPROM.

Chociaż pamięć flash jest rodzajem EEPROM, dwa terminy zwykle opisują bardzo różne typy urządzeń.Na przykład EEPROM jest zwykle włączany do większego obwodu zintegrowanego (IC).Służy funkcji przechowywania różnych danych, których potrzebuje reszta IC, aby osiągnąć swój cel.EEPROM robi to, przechowując dane w małych blokach, zwykle tylko jeden bajt o długości.

Z drugiej strony pamięć flash zwykle widzi użycie w samodzielnych urządzeniach pamięci pamięci, takich jak dyski USB lub karty pamięci kamery, i przechowuje pliki użytkowników komputerowych.Aby to zrobić, dane są zorganizowane w duże bloki, z których każdy zawiera wiele bajtów danych.Do tych dużych bloków można uzyskać i usunąć znacznie szybciej niż jednobitowe bloki danych.Ta znacznie większa prędkość w przetwarzaniu danych polega na tym, że pamięć flash czerpie swoją nazwę.

EEPROM i pamięć flash używają tranzystorów o zmiennoprzecinkowej bramce do przechowywania danych.W rezultacie obie formy pamięci są nielatywne.Nieulotnie odnosi się do pamięci, która może nadal przechowywać dane, nawet jeśli nie ma dostępnej mocy.Jest to w przeciwieństwie do innych rodzajów pamięci, takich jak komputerowa pamięć o losowym dostępie, które zrzucają wszystkie przechowywane dane, gdy tylko moc zostanie usunięta.

Kolejnym wspólnym atrybutem technologii opartych na tranzystorach pływających bramek jest ograniczony cykl życia tranzystorów należnychdo zjawiska zwanego zużyciem pamięci.Za każdym razem, gdy dane są zapisywane lub wymazane z tych urządzeń, następuje nieco więcej zużycia.Ostatecznie, po 10 000 do 100 000 cykli, tranzystory zaczną się nie powieść.Podczas gdy EEPROM zawiera dane operacyjne, które rzadko się zmieniają, dane przechowywane w pamięci flash są często zmieniane.Dlatego, chociaż zarówno EEPROM, jak i pamięć flash doświadczają zużycia pamięci, zwykle ma to znacznie większy wpływ na pamięć flash.