Vad är RF magnetron sputtering?

Radiofrekvens Magnetron Sputting, även kallad RF Magnetron Sputting är en process som används för att göra tunn film, särskilt när man använder material som är icke-ledande.I denna process odlas en tunn film på ett underlag som placeras i en vakuumkammare.Kraftfulla magneter används för att jonisera målmaterialet och uppmuntra det att sätta sig på underlaget i form av en tunn film.

Det första steget i RF -magnetronsputningsprocessen är att placera ett substratmaterial i en vakuumkammare.Luften avlägsnas sedan, och målmaterialet, materialet som kommer att omfatta den tunna filmen, släpps ut i kammaren i form av en gas.Partiklar av detta material joniseras genom användning av kraftfulla magneter.Nu i form av plasma stämmer det negativt laddade målmaterialet på underlaget för att bilda en tunn film.Tunna filmer kan variera i tjocklek från några till några hundra atomer eller molekyler.

Magneterna hjälper till att påskynda tillväxten av den tunna filmen eftersom magnetisering av atomerna hjälper till att öka procentandelen målmaterial som blir joniserade.Joniserade atomer är mer benägna att interagera med de andra partiklarna som är involverade i den tunna filmprocessen och är därför mer benägna att sätta sig på underlaget.Detta ökar effektiviteten i den tunna filmprocessen, vilket gör att de kan växa snabbare och vid lägre tryck.

RF-magnetronsputningsprocessen är särskilt användbar för att göra tunna filmer av material som inte leder.Dessa material kan ha svårare att bildas till en tunn film eftersom de blir positivt laddade utan användning av magnetism.Atomer med en positiv laddning kommer att bromsa sputteringsprocessen och kan "förgifta" andra partiklar i målmaterialet, vilket ytterligare bromsar processen.

Magnetron-sputtering kan användas med ledande eller icke-ledande material, medan en relaterad process, kalladDiode (DC) magnetron sputtering, fungerar endast med ledande material.DC Magnetron -sputtering görs ofta vid högre tryck, vilket kan vara svårt att underhålla.Det lägre tryck som används i RF -magnetronsputtering är möjliga på grund av den höga andelen joniserade partiklar i vakuumkammaren.