เลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดคืออะไร?

เลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดเป็นเลเซอร์ชนิดใหม่ที่พัฒนาขึ้นในปี 2549 โดย Intel และ University of California Santa Barbara (UCSB)เลเซอร์นี้ทำจากวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ของกลุ่ม III-V (เช่นแกลเลียม (III) อาร์เซไนด์, อินเดียม (III) ฟอสฟอรัส) ประเภทเดียวกับที่ใช้ในชิปคอมพิวเตอร์ที่ผลิตโดยมวลรวมถึงซิลิกอนเลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดนั้นแตกต่างจากเลเซอร์ไดโอดที่เราใช้ในคอมพิวเตอร์และเครื่องเล่นซีดีของเราโดยใช้เมียมฟอสฟอรัสซึ่งจะต้องประกอบเป็นรายบุคคลและจัดแนวสำหรับแต่ละหน่วยและไม่สามารถผลิตได้ในลักษณะเดียวกับชิปคอมพิวเตอร์

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ III-V แยกต่างหากจะต้องใช้ในการประดิษฐ์ไดโอดเลเซอร์ปัจจุบันเลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดทำจากซิลิคอนเป็นหลักและถูกประดิษฐ์ขึ้นบนซิลิคอน Wafter ซึ่งเรามีประสบการณ์อย่างกว้างขวางในการผลิตมวลชนด้วยการถ่ายภาพด้วยแสงและการปฏิวัติคอมพิวเตอร์เลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดจะลดค่าใช้จ่ายในการสร้างเลเซอร์อย่างมากแม้ว่าเลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดจะใช้อินเดียมฟอสเฟตเพื่อสร้างแสง แต่ก็ไม่ได้ใช้สารเคมีเพื่อกำหนดเส้นทางตรวจจับและขยายแสงแต่ใช้ซิลิกอนแทนเลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดเป็นก้าวสำคัญในการรวมระบบออพติคอลเข้ากับชิปคอมพิวเตอร์ทั่วไปซึ่งสามารถช่วยให้ความเร็วในการประมวลผลและอัตราการถ่ายโอนข้อมูลเร็วกว่าที่ดีที่สุดหลายร้อยเท่าที่เรามีในปัจจุบันอัตราการถ่ายโอนเหล่านี้จะอยู่ในระดับ terabit มากกว่าระดับกิกะบิตหรือ megabit ที่เราเห็นในวันนี้

เลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดเป็นส่วนหนึ่งของโปรแกรมการวิจัยที่เรียกว่าโฟโตนิกคอมพิวเตอร์ซึ่งต้องการเห็นชิปคอมพิวเตอร์ใช้แสงแทนเจนต์ข้อมูล.แสงต้องการพลังงานน้อยลงต่อหน่วยของข้อมูลเลเซอร์ซิลิกอนไฮบริดสามารถผลิตจำนวนมากในระดับอุตสาหกรรมโดยมีหลายร้อยหรือมากกว่าที่จะตายเลเซอร์บนชิปจำนวนมากจะต้องสร้างคอมพิวเตอร์เป็นหลักตามโฟโตนิกส์อีกขั้นตอนที่จำเป็นสำหรับโฟโตนิกที่แท้จริงคือเทคโนโลยีในการหยุดแสงอย่างแท้จริงในคริสตัลซึ่งคล้ายกับที่เก็บอิเล็กตรอนในตรรกะคอมพิวเตอร์ปัจจุบันการวิจัยเบื้องต้นได้แสดงผลลัพธ์ที่มีแนวโน้มในทิศทางนี้