เซมิคอนดักเตอร์ภายนอกคืออะไร?

semiconductors ภายนอกเป็นวัสดุที่เป็นตัวนำและวัสดุป้องกันบางส่วนที่ได้รับการเปลี่ยนแปลงทางเคมีเพื่อรับประจุไฟฟ้าที่ไม่เป็นกลางพวกเขาเป็นหน่วยการสร้างของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ภายนอกติดตามการผลิตที่ประสบความสำเร็จของเซมิคอนดักเตอร์ที่แท้จริงและการเปลี่ยนแปลงของพวกเขาเป็นบวก (p) -type หรือลบ (N) -type เซมิคอนดักเตอร์

เมื่อซิลิกอนไดออกไซด์ผ่านการกำจัดอะตอมออกซิเจนซิลิกอนบริสุทธิ์นี้ในขณะที่อยู่ในรูปแบบของเหลวทำปฏิกิริยากับออกซิเจนได้อย่างง่ายดายเพื่อเปลี่ยนกลับไปสู่การเปลี่ยนแปลงของทรายธรรมดาด้วยการใช้สภาพแวดล้อมการผลิตพิเศษเช่นในสุญญากาศหรือก๊าซที่ไม่ทำปฏิกิริยาวัสดุซิลิคอนมีโอกาสที่จะมีความบริสุทธิ์สูงร่องรอยที่ไม่พึงประสงค์ขององค์ประกอบและสารประกอบอื่น ๆ จะถูกแยกออกเพื่อให้ได้ซิลิกอนบริสุทธิ์ซิลิคอนละลายที่ประมาณ 2,577 deg; f (ประมาณ 1,414 deg; c) ดังนั้นจึงจำเป็นต้องใช้อุปกรณ์และเทคโนโลยีพิเศษในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ภายนอก

ซิลิคอนบริสุทธิ์ด้วยตัวเองยาสลบเกี่ยวข้องกับการแนะนำสิ่งสกปรกที่ควบคุมเพิ่มเติมในเซมิคอนดักเตอร์ที่แท้จริงในขณะที่อยู่ในรูปแบบของเหลวในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์การทำงานของซิลิคอนบริสุทธิ์เป็นเซมิคอนดักเตอร์ที่แท้จริงจะต้องถูกแปลงเป็นเซมิคอนดักเตอร์ภายนอกเพื่อใช้หากมีการแข็งตัวให้เป็นที่แท้จริงมันจะต้องหลอมละลายอีกครั้งเพื่อสร้างเซมิคอนดักเตอร์ภายนอกเมื่อเซมิคอนดักเตอร์ที่แท้จริงอยู่ในรูปแบบของเหลวการสร้างเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P หรือ N-type เป็นตัวเลือกต่อไปและด้วยองค์ประกอบเจือปนที่ถูกต้องหรือตัวเลือกที่ถูกต้องของสิ่งสกปรกที่ควบคุมได้semiconductors ภายนอกเป็นทั้ง N-type หรือ P-type ขึ้นอยู่กับสารเจือปนที่ใช้เจือปนเช่นโบรอนอาจมีอิเล็กตรอนสามตัวที่เปลือกหอยอะตอมด้านนอกหรือวาเลนซ์เพื่อผลิตเซมิคอนดักเตอร์ชนิด Pผู้ที่มีอิเล็กตรอนเวเลนซ์ห้าตัวเช่นฟอสฟอรัสใช้เป็นสารเจือปนเพื่อผลิตเซมิคอนดักเตอร์ชนิด N-typeการเพิ่มโบรอนลงในการหลอมเหลวซิลิคอนบริสุทธิ์ในสภาพแวดล้อมที่ไม่ทำปฏิกิริยาทำให้เป็นเซมิคอนดักเตอร์ P-type หรือตัวรับอิเล็กตรอนในขณะที่ยาสลบซิลิคอนภายในด้วยฟอสฟอรัสสร้างเซมิคอนดักเตอร์ N-type หรือผู้บริจาคอิเล็กตรอนหนึ่งอะตอมโบรอนถึงอะตอมซิลิคอนมากถึง 10 ล้านอะตอมคืออัตราส่วนทั่วไปของปริมาณของสิ่งเจือปนในเซมิคอนดักเตอร์ที่แท้จริง

พืชเซมิคอนดักเตอร์ส่งส่วนประกอบที่มีการผสมผสานของเซมิคอนดักเตอร์ภายนอกไดโอดสองเทอร์มินัลมีทางแยก P-N เดียวหรือเข้าร่วม P-type และ N-type semiconductorชิปบูรณาการขนาดใหญ่มากมีทางแยกหลายพันชนิดของเซมิคอนดักเตอร์ P-type และ N-type