NRAM ย่อมาจาก nano-RAM หรือ Nanotube-based / memory nonvolatile random access เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่ บริษัท Nantero เป็นเจ้าของ เทคโนโลยีดังกล่าวเป็นการรวมตัวของท่อนาโนคาร์บอนขนาดเล็กร่วมกับเซมิคอนดักเตอร์ทั่วไป เนื่องจากองค์ประกอบที่ประกอบด้วยหน่วยความจำ nanotubes มีขนาดเล็กเทคโนโลยี NRAM จะบรรลุความหนาแน่นของหน่วยความจำสูงมาก: อย่างน้อย 10-100 เท่าของเราดีที่สุดในปัจจุบัน NRAM จะทำงานด้วยระบบไฟฟ้าแทนที่จะใช้ทางไฟฟ้าเพียงวางไว้นอกเหนือจากเทคโนโลยีหน่วยความจำอื่น ๆ ในรูปแบบของหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนความหมายข้อมูลจะถูกเก็บไว้แม้ในขณะที่ปิดเครื่อง ผู้สร้างเทคโนโลยีอ้างว่ามีข้อดีของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ดีที่สุดทั้งหมดโดยไม่มีข้อเสียตั้งค่าให้เป็นสื่อกลางสากลสำหรับหน่วยความจำในอนาคต
ท่อนาโนคาร์บอนเป็นท่อคาร์บอนขนาดเล็กที่มีความกว้างเพียงไม่กี่นาโนเมตร - ความกว้างของเส้นผมของมนุษย์ 1 / 100,000 ผนังของท่อนาโนคาร์บอนประกอบด้วยอะตอมของคาร์บอนเดี่ยว ท่อนาโนมีความแข็งเท่ากับเพชรและนำกระแสไฟฟ้าเช่นเดียวกับทองแดง ในปีที่ผ่านมาต้นทุนการผลิตท่อนาโนมวลลดลง
ด้วยการสร้าง "เส้นใย" บาง ๆ ของนาโนทิวบ์และจัดเรียงไว้ในรอยต่อบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนที่ฝังอยู่กับวงจรทั่วไปทำให้สามารถสร้างระบบหน่วยความจำเชิงกลแบบไฮบริดได้ ท่อนาโนที่กำหนดค่าไว้ในตำแหน่งเดียวจะบ่งบอกถึง 1 และในอีกตำแหน่งหนึ่งอาจบ่งบอกถึง 0 การผลิตเริ่มต้นเมื่อชั้นนาโนทิวบ์บางกระจายไปทั่วพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์จากนั้นนาโนทิวบ์ที่ไม่จำเป็น
NRAM ที่ผลิตขึ้นจำนวนมากอาจแทนที่ DRAM (RAM แบบไดนามิก), SRAM (RAM แบบคงที่), หน่วยความจำแฟลชและที่เก็บข้อมูลฮาร์ดดิสก์ในที่สุด มันจะนำไปสู่คอมพิวเตอร์ "instant-on" และอุปกรณ์ขนาด PDA ที่มีหน่วยความจำสูงกว่า 10GB เนื่องจากท่อนาโนมีความแข็งแรงและพื้นฐานการใช้งานของพวกเขาคือกลไกอุปกรณ์ NRAM จึงสามารถทนต่อการสึกหรอได้สูงรวมถึงความร้อนความเย็นและแม่เหล็ก พวกเขายังนำไปสู่อุปกรณ์แบบทันทีและแทนที่ RAM ยอดนิยมสองประเภทที่ใช้กันในปัจจุบัน ได้แก่ flash RAM และ DRAM เนื่องจากองค์ประกอบการทำงานในเทคโนโลยี NRAM นั้นมีขนาดนาโนเมตรดังนั้น NRAM จึงมีคุณสมบัติเป็นนาโนเทคโนโลยีในแง่ทั่วไป แต่ไม่ใช่ นาโนเทคโนโลยี ระดับโมเลกุล (การผลิตโมเลกุล) เนื่องจากองค์ประกอบขนาดนาโนเมตรไม่สามารถผลิตผลิตภัณฑ์เพิ่มเติมเพื่อความแม่นยำของอะตอม
