Elektronik Olarak Silinebilir Programlanabilir Salt Okunur Bellek (EEPROM) ve flaş belleğin çok ortak noktaları vardır. Hem EEPROM hem de flash bellek bir yonga biçiminde inşa edilmiştir, silinebilen ve yeniden yazılabilen verileri saklayabilir ve aynı kayan geçit transistör teknolojisini kullanabilir. Flash belleğin bir tür EEPROM olduğunu belirtmek doğru olsa da, EEPROM ve flash bellek terimleri genellikle farklı aygıtları tanımlar.
EEPROM, genel anlamda, kendisine dijital olarak yazılmış ve bir tür elektronik cihaz kullanılarak silinebilen herhangi bir veri belleği cihazını ifade eder. Bu, ultraviyole ışık gibi elektronik olmayan bir yöntemle fiziksel olarak çıkarılması ve silinmesi gereken Silinebilir Programlanabilir Salt Okunur Belleğin (EPROM) aksinedir. Flash belleğin yazma ve silme işlemleri bir bilgisayarla gerçekleştirilirken, flash bellek, tanımı gereği, EEPROM'dur.
Flash bellek bir tür EEPROM olsa da, iki terim genellikle çok farklı tür cihazları tanımlar. Örneğin, EEPROM tipik olarak daha büyük bir entegre devre (IC) içine dahil edilir. Amaçlarını gerçekleştirmek için IC'nin geri kalanının ihtiyaç duyduğu çeşitli veri parçalarını saklama işlevine hizmet eder. EEPROM bunu, verileri yalnızca tek bir bayt uzunluğunda küçük bloklarda depolayarak yapar.
Öte yandan, flash bellek genellikle USB sürücüler veya kamera bellek kartları gibi tek başına bellek depolama aygıtlarında kullanım görür ve bilgisayar kullanıcı dosyalarını depolar. Bunu yapmak için, veriler her biri birçok bayt veri içeren büyük bloklar halinde düzenlenir. Bu büyük bloklara, tek baytlık veri bloklarından çok daha hızlı bir şekilde erişilebilir ve silinebilir. Verilerin işlenmesindeki bu çok yüksek hız, flash belleğin adını aldığı yerdir.
EEPROM ve flash bellek, her ikisini de verileri depolamak için kayan geçit transistörleri kullanır. Sonuç olarak, her iki bellek biçimi de kalıcı değildir. Uçucu olmayan, güç olmadığında bile veri depolamaya devam edebilen hafızayı ifade eder. Bu, güç kesildiği anda tüm depolanan verileri kullanan bilgisayar rasgele erişim belleği gibi diğer bellek türlerinin aksinedir.
Yüzer kapılı transistör tabanlı teknolojilerin paylaşılan bir başka özelliği de, bellek aşınması denilen bir olguya bağlı olarak transistörlerin sınırlı yaşam döngüsüdür. Veriler bu cihazlardan her yazıldığında veya silindiğinde, biraz daha fazla aşınma meydana gelir. Sonunda, 10.000 ila 100.000 döngüden sonra, transistörler arıza yapmaya başlayacaktır. EEPROM nadiren değişen operasyonel veriler içerirken, flash bellekte depolanan veriler sıklıkla değiştirilir. Bu nedenle, hem EEPROM hem de flash bellek, bellek aşınması yaşarken, genellikle flash bellek üzerinde çok daha büyük bir etkiye sahiptir.
