Mi a Magnetron porlasztása?

A mágneses porlasztás egyfajta fizikai gőzlerakódás, amelyben a célanyagot elpárologtatják, és egy szubsztrátumra helyezik el, hogy vékony filmet hozzanak létre.Mivel mágneseket használ a töltések stabilizálására, a mágneses porlasztást alacsonyabb nyomáson lehet elvégezni.Ezenkívül ez a porlasztási folyamat pontos és egyenletesen elosztott vékony fóliákat hozhat létre, és lehetővé teszi a célanyagok nagyobb változatosságát.A mágneses porlasztást gyakran használják vékony fémfóliák kialakításához különböző anyagokra, például műanyag zacskókra, kompakt lemezekre (CD -k) és digitális videó lemezekre (DVD -k), és általában a félvezető iparban is használják.A hagyományos porlasztási folyamat vákuumkamrában kezdődik a célanyaggal.Argon vagy más inert gázt lassan behozzák, lehetővé téve a kamra számára, hogy fenntartsa alacsony nyomását.Ezután egy áramot vezetnek be a gép energiaforrásain keresztül, és olyan elektronokat hoznak a kamrába, amelyek elkezdenek bombázni az argon atomokat, és leütik az elektronokat a külső elektronhéjakban.Ennek eredményeként az argon atomok pozitív töltésű kationokat képeznek, amelyek elkezdenek bombázni a célanyagot, és kis molekulákat engednek egy spray -ben, amely a szubsztráton összegyűjti.A kamra nemcsak az argon atomokat bombázza, hanem a célanyag felületét is.Ez nagyfokú károsodást okozhat a célanyagban, beleértve az egyenetlen felületi szerkezetet és a túlmelegedést.Ezenkívül a hagyományos dióda porlasztás hosszú időt vehet igénybe, és még több lehetőséget nyithat meg a célanyag elektronkárosodására.

A mágneses porlasztás magasabb ionizációs sebességet és kevesebb elektronkárosodást kínál a célanyagnál, mint a hagyományos porlasztási lerakódási technikák.Ebben a folyamatban egy mágnest vezetnek be az áramforrás mögött, hogy stabilizálják a szabad elektronokat, megvédjék a célanyagot az elektronkontaktustól, és növeljék annak valószínűségét, hogy az elektronok ionizálják az argon atomokat.A mágnes létrehoz egy mezőt, amely az elektronokat visszafogott és csapdába esik a célanyag fölé, ahol nem tudják ártani.Mivel a mágneses mező vonalak íveltek, a kamrában lévő elektronok útja az argon áramlásán keresztül meghosszabbodik, javítva az ionizációs sebességet és csökkentve az időt, amíg a vékony film befejeződik.Ilyen módon a mágneses porlasztás képes ellensúlyozni az idő kezdeti problémáit és a célanyag -károsodást, amely a hagyományos dióda porlasztással történt.