完全に緩衝液とは何ですか？

fully完全にバッファリドDIMM（デュアルインラインメモリモジュール）は、チップセットに高度なメモリバッファーを含むランダムアクセスメモリ（RAM）チップです。高度なメモリバッファーは、実際のメモリモジュールとメモリコントローラーの間の仲介者として機能します。これにより、モジュールのピンの数を増やすことなく、チップ上の使用可能なメモリを増やすことができます。DIMMの欠点には、レイテンシの導入とチップセットの消費電力の増加が含まれます。メモリモジュールに出入りするすべてのデータは、最初に高度なメモリバッファユニットを通過する必要があります。メモリコントローラーがメモリモジュールと直接インターフェイスするバッファーのないDIMMとは異なり、完全にバッファされたDIMMに関する情報は、高度なメモリバッファーによって解釈する必要があります。fully完全に緩衝型DIMMを使用すると、2つの主要な利点が可能になります。1つ目は、信号をメモリバッファユニットによって復元できることです。これは、コンピューターバスアーキテクチャを移動する際の劣化を補償することです。2つ目は、Advanced MemoryバッファーがRAMチップと出入りするデータを先制的なエラーチェックを実行できることです。それは、通過するデータがプロセス中の任意の時点で破損しているかどうかを知ることができるミニチュアの脳の一種のように機能します。ただし、完全に緩衝型DIMMを使用することには欠点もあります。これらの最初のものは、高度なメモリバッファーがRAMチップに追加の消費電力を必要とすることです。これは、RAMソケットをより高い電圧レベルに設定する必要があることを意味します。電力の増加は余分な熱を生成し、それがRAMチップスの寿命を短くすることができます。システム内の他のコンポーネント＆MDASH;換気が悪い状態の範囲内。このリスクを最小限に抑えるには、追加の冷却を使用する必要があります。これには、ケースの追加の排気ファンまたはRAMチップ全体のエアフローを改善するための別のタイプの冷却ソリューションが含まれます。バッファーなしでは、RAM操作は本質的にリアルタイムで発生し、プロセッサの速度、プロセッサとメモリ間のフロントサイドバス、およびRAMチップ自体の速度によってのみ制限されます。ただし、データが高度なメモリバッファーを介してチャネリングされると、情報の受信と処理の間に遅延が発生します。これに対する唯一の可能な報酬は、より高速なメモリモジュールを使用して、固有のレイテンシ遅延を克服することです。