2Nトランジスタとは何ですか？

olg 2Nトランジスタは、基本的に3つのリードワイヤを備えたトランジスタです。2Nトランジスタの指定は、共同電子デバイスエンジニアリング評議会（JEDEC）によって作成された電子コンポーネント番号付けシステムの一部です。1958年に結成されたJEDECは、国立電気製造協会（NEMA）と協力して、さまざまな電子コンポーネントの標準、テスト方法、指定、および部品番号システムを確立しました。Nemaは、1979年にJedecのプログラムへの直接的な関与を削除しました。しかし、JEDECは、半導体エンジニアリング業界の貿易および標準化エンティティとして運営され続けました。新進の半導体産業のパラメーターを設定するのに役立つ独立した標準化機関。JEDECはその努力から生まれ、さまざまな新しい半導体デバイスを指定し、さまざまな半導体デバイスの基本的な側面を特定する部品番号システムを作成する作業を開始しました。組織の寿命の初期には、ダイオードとトランジスタの2つの真の半導体デバイスは2つしかありませんでした。セクションの1つは積極的に充電され、もう1つのセクションは否定的に充電されます。これらの2つのセクションが出会うのは、ダイオードのジャンクションです。ダイオードのジャンクションは、その運用特性の多くを確立します。ダイオードには1つの接合部しかないため、JEDECによって単一接合半導体デバイスとして指定され、1Nで始まる部品番号で識別されました。その時のトランジスタは、融合した電荷充電された半導体材料の3つのセクションのみで構成されていました。電荷は、PNPと呼ばれる陽性陽性またはNPNと呼ばれる負の陽性陰性のいずれかとして順序付けられることがありますが、その日のすべてのトランジスタには、3つのセクションが出会う2つの接合部がありました。したがって、JEDECはトランジスタをBi-junction半導体デバイス（2つの接合部があることを意味します）として識別し、2Nで開始する部品番号を割り当てました。これは2Nトランジスタの起源です。これらの多くは3つ以上のワイヤリードを持っていて、一部は物理接合ではなく電磁場の原理に取り組んでいました。たとえば、デュアルゲートフィールドエフェクトトランジスタには、1つの実用的な極性接合部が1つしかありませんが、4つのワイヤリードがあります。diodeダイオードはすでに1N指定子を使用しているため、使用できなかったため、JEDECは1Nと2Nの意味を変更して、2線と3線型デバイスを参照しました。次に、3N指定子をデュアルゲートフィールド効果トランジスタに割り当て、4つのワイヤリードを持っていると識別しました。この変更の直接的な結果として、2Nトランジスタは3つのワイヤリードを備えたトランジスタになり、デバイスの設計に応じて2つの内部接合部を持つ場合があります。ただし、他の2つの主要な標準化システムも使用されているため、半導体部品番号の唯一の作成者ではなくなりました。日本は、トランジスタの部品番号が2秒で始まる日本の産業標準（JIS）と呼ばれる標準を作成しました。ヨーロッパのプロエレクトロン標準（PE）は、半導体成分を特定するための世界のもう1つの主要な基準です。そのシステムの下で、文字は、デバイスの種類を識別する文字が続くトランジスタが作られている材料を示しています。たとえば、BAはシリコンダイオードを示し、BCはシリックを示します汎用トランジスタでは、ADはゲルマニウム電源トランジスタを示します。