Ano ang isang malaking modelo ng signal?

Ang isang modelo ng malaking signal ay isang representasyon na ginamit sa pagsusuri ng mga electric circuit gamit ang mga boltahe at alon na isinasaalang-alang sa itaas ng kategorya ng mababang-signal.Ang pangunahing dahilan para sa pagkakaroon ng isang mababang-at malaking signal na modelo ay ang mga circuit ng pag-uugali, partikular ang mga semiconductors, nakasalalay sa mga kamag-anak na amplitude ng mga signal na kasangkot.Ang modelo ng malaking signal ay nagpapakita rin ng mga katangian ng mga circuit kapag ang mga antas ng signal ay malapit sa maximum na pinapayagan na mga antas para sa mga aparato.Ang mga modelo ng transistor ay gumagamit ng modelo ng malaking-signal upang mahulaan ang pagganap at mga katangian sa mga oras kung kailan ang maximum na mga antas ng signal ay pinakain at ang maximum na output ay iguguhit.Ang mga mekanismo para sa pagbabawas ng pagbaluktot at output ng ingay sa pinakamataas na antas ng signal ay idinisenyo batay sa mga malalaking modelo ng nonlinear.Sa pagmomolde ng diode, isinasaalang-alang ng maliit na modelo ng signal, halimbawa, ang 0.7-volt (v) pasulong na boltahe na pagbagsak sa buong silikon na diode at ang 0.3 V pasulong na pagbagsak sa buong germanium diode.Sa malaking modelo ng signal, ang paglapit sa maximum na pinapayagan na mga alon sa isang tipikal na diode ay tataas ang aktwal na pasulong na pagbagsak ng boltahe.May kaunting pagpapadaloy sa parehong maliit at malalaking signal na modelo para sa reverse-biased diode.Sa reverse bias mode, ang diode ay ginagamot sa halos parehong paraan kung sa maliit o malaking signal na modelo.Ang pagkakaiba sa modelo ng malaking-signal para sa isang reverse-biased diode ay ang reverse breakdown boltahe kung saan ang isang diode ay mabibigo nang permanente kung pinapayagan ang diode na sumipsip ng kapangyarihan, na gumagawa ng isang hindi maibabalik na pinsala sa positibong-negatibong (p-n) na kantong ng diode, isang kantong sa pagitan ng isang positibo (P) -type at isang negatibo (n) -type semiconductor.Kapag ang mas maraming lakas ay nawala, ang pagtaas ng temperatura ay karaniwang humahantong sa isang pagtaas ng pakinabang pati na rin ang mga leakage currents para sa karamihan ng mga transistor.Sa wastong disenyo, ang mga aktibong aparato ay maaaring awtomatikong kontrolin ang anumang pagkakataon ng isang estado na tinatawag na runaway.Halimbawa, sa thermal runaway, ang mga bias na alon na nagpapanatili ng mga static na katangian ng operating ng isang aktibong aparato ay maaaring umunlad sa isang matinding sitwasyon kung saan mas maraming kapangyarihan ang nasisipsip ng aktibong aparato.Ang ganitong uri ng kondisyon ay maiiwasan ng wastong karagdagang mga resistors sa mga aktibong terminal ng aparato na magbabayad para sa mga pagbabago, katulad ng isang negatibong mekanismo ng feedback.